隨著電子產(chǎn)品的輕薄短小及高速率，高帶寬，5G/6G甚至更高的工作頻率，促使電子元器件的尺寸也變得越來(lái)越小，工作頻率也越來(lái)越高。這對(duì)測(cè)試電子元器件的設(shè)備要求也要同時(shí)能滿足尺寸越來(lái)越小和頻率越來(lái)越高的要求。TSK阻抗分析儀可以用來(lái)在高達(dá)3GHz的頻率范圍內(nèi)測(cè)量無(wú)源器件的特性，除此之外，工程師們更可以用它來(lái)測(cè)量小至01005尺寸的 SMD器件的特性。

　　射頻阻抗/材料分析儀使用射頻電流–電壓(RF-IV)技術(shù)，可在廣泛的阻抗范圍內(nèi)提供更精確的阻抗測(cè)量結(jié)果，高Q精度有利于進(jìn)行低功耗元器件分析。不但可測(cè)試各種LCR 元件和半導(dǎo)體測(cè)試，同時(shí)可配置相關(guān)的材料測(cè)量選件，還可測(cè)量材料介電常數(shù)和導(dǎo)磁率。

　　測(cè)試頻率：1MHz到3GHz的掃描范圍和1mHz的分辨率。

　　阻抗測(cè)試量程：130 mΩ to 20 kΩ.基本阻抗精度是+/-0.8%

　　阻抗測(cè)量參數(shù): |Z|, |Y|, Ls, Lp, Cs, Cp, Rs(R), Rp, X, G, B, D,Q,θz,θy, |Γ|, Γx, Γy, θγ

　　材料介電常數(shù)測(cè)試參數(shù)： |εr|, εr',εr", tanδ

　　材料磁導(dǎo)率測(cè)試參數(shù)：|μr|, μr', μr", tanδ

　　直流偏置功能(選件001)

　　DC Bias (Option E4991A-001)：0 to±40V，分辨率: 1mV。對(duì)于器件的特性會(huì)依賴于直流電壓或電流偏置狀態(tài)的器件的測(cè)試，例如射頻電感器或陶瓷電容器等，E4991A的直流偏置功能(選件001)可以給被測(cè)器件提供直流電壓±40V)和直流電流(±50mA)的偏置這樣您不需要使用外部的直流偏置源就可以很容易地觀察到被測(cè)器件在不同的直流偏置狀態(tài)下所表現(xiàn)出來(lái)的特性。

　　外接直流偏置源適配器

　　如果在測(cè)量當(dāng)中甚至需要更大的直流電流偏置，使用16200B外接直流偏置源適配器就可以連接一個(gè)外部的直流電流源，通過(guò)7mm測(cè)量端口給被測(cè)器件提供最大為±5A的直流偏置。使用了16200B直流偏置源適配器之后E4991A的測(cè)量頻率的上限將會(huì)被限制在1GHz。

　　多種測(cè)量夾具可選(可滿足不同封裝，不同PIN腳的測(cè)試需求)：

　　強(qiáng)大的用戶顯示界面

　　8.4英寸LCD顯示屏用 Windows風(fēng)格的直觀的圖形化用戶界面給你顯示測(cè)量中儀表的設(shè)置狀態(tài)和測(cè)量結(jié)果，E4991A可以同時(shí)顯示3個(gè)標(biāo)量和2個(gè)復(fù)數(shù)參數(shù)的測(cè)量結(jié)果。

　　強(qiáng)大的圖形界面

　　無(wú)源器件測(cè)試 ? 測(cè)量片狀器件，例如陶瓷電容器射頻電感、鐵氧體磁珠、電阻器等的射頻阻抗參數(shù);

　　精確測(cè)量阻抗

　　在電子電路的設(shè)計(jì)中為了節(jié)省空間會(huì)越來(lái)越多地使用集成電路或電路模塊，也會(huì)在半導(dǎo)體或基片上生成薄膜電介質(zhì)層以及電感器的結(jié)構(gòu)，這些器件的電容值或電感值通常只有幾個(gè)pF和幾個(gè)nH。TSK射頻阻抗分析儀提供一個(gè)專門和探針臺(tái)連接的套件(選件010)，可以在范圍內(nèi)精確地測(cè)量半導(dǎo)體裸片上的器件或微小器件的阻抗值。