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電磁式電壓互感器介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ的現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試方法

時(shí)間:2021-04-20瀏覽量:0
文章詳情

  1、電磁式全絕緣電壓互感器

  1.1 試驗(yàn)接線

  可以采用將一次繞組短路加壓,各二次繞組均短路,接西林電橋Cx點(diǎn)的正接法來測(cè)量tanδ及電容值;也可以采用對(duì)電橋的E點(diǎn)加壓,將一次繞組短路,接QS1電橋的Cx點(diǎn),其各二次繞組均短路直接接地的反接法。

  1.2 判斷和標(biāo)準(zhǔn)

  電磁式電壓互感器在交接試驗(yàn)時(shí),35kV油浸式的tanδ(%)可參照DL/T 596規(guī)定判斷。35kV以上的,在試驗(yàn)電壓為10kV時(shí),按制造廠試驗(yàn)方法測(cè)得的tanδ值不應(yīng)大于出廠試驗(yàn)值的130%。

  運(yùn)行中電磁式電壓互感器的tanδ(%)值按DL/T 596規(guī)定判斷。

  2、串級(jí)式電壓互感器

  2.1 繞組結(jié)構(gòu)

  圖1-1為220kV串級(jí)式電壓互感器的繞組及結(jié)構(gòu)布置圖。一次繞組分成4段,繞在兩個(gè)鐵芯上;兩個(gè)鐵芯被支撐在絕緣支架上,鐵芯對(duì)地分別處于3/4和1/4的工作電壓,一次繞組zui末一個(gè)靜電屏(共有4個(gè)靜電屏)與末端“X”相連接,“X”點(diǎn)運(yùn)行中直接接地。末電屏外是二次繞組ax和剩余二次繞組aDxD“X”與ax繞組運(yùn)行中的電位差僅100/√3V,它們之間的電容量約占整體電容量的80%。110kV級(jí)的繞組及結(jié)構(gòu)布置與220kV級(jí)類似,一次繞組共分2段,只有一個(gè)鐵芯,鐵芯對(duì)地電壓為1/2的工作電壓。

  圖1-1 220kV串級(jí)式電壓互感器原理接線圖

  1——靜電屏蔽層;2——一次繞組(高壓);3——鐵芯;4——平衡繞組

  5——連耦繞組;6——二次繞組;7——剩余二次繞組;8——支架

  2.2 試驗(yàn)方法和接線

  測(cè)量串級(jí)式電壓互感器tanδ和電容的主要方法有:末端加壓法、末端屏蔽法、常規(guī)試驗(yàn)法和自激法。末端加壓法采用較廣,它的優(yōu)點(diǎn)是電壓互感器A點(diǎn)接地,抗電場(chǎng)干擾能力較強(qiáng),不足之處是存在二次端子板的影響,且不能測(cè)絕緣支架的tanδ值;末端屏蔽法“X”接屏蔽能排除端子板的影響,能測(cè)出絕緣支架的tanδ值。電壓互感器的預(yù)防性試驗(yàn)規(guī)定,必須增加對(duì)絕緣支架的介質(zhì)損失值的測(cè)試項(xiàng)目,因此DL/T 596建議采用末端屏蔽法試驗(yàn)。自激法抗干擾力差,一般較少采用。

  a) 試驗(yàn)接線和方法如圖1-2~圖1-6和表1-1所示。

  圖1-2 末端加壓法測(cè)量接線

  AX——高壓繞組端子;ax——二次繞組端子;aDxD——剩余二次繞組端子;Cx——電容電橋端子

  E——電橋接地端子;R4——電橋固定電阻;C4——電橋可調(diào)電容;Cn——標(biāo)準(zhǔn)電容;R3——電橋可調(diào)電阻

  圖1-3 末端加壓法測(cè)量對(duì)剩余二次繞組端部tanδ的接線

  AX——高壓繞組端子;ax——二次繞組端子;aDxD——剩余二次繞組端子;Cx——電容電橋端子

  E——電橋接地端子;R4——電橋固定電阻;C4——電橋可調(diào)電容;Cn——標(biāo)準(zhǔn)電容;R3——電橋可調(diào)電阻

  圖1-4 末端屏蔽法:電壓互感器底座接地測(cè)量一次對(duì)二次繞組的試驗(yàn)接線(測(cè)出Ca及tanδa)

  AX——高壓繞組端子;ax——二次繞組端子;aDxD——剩余二次繞組端子;Cx——電容電橋端子

  E——電橋接地端子;R4——電橋固定電阻;C4——電橋可調(diào)電容;Cn——標(biāo)準(zhǔn)電容;R3——電橋可調(diào)電阻

  圖1-5 末端屏蔽法:電壓互感器底座對(duì)地絕緣測(cè)量一次對(duì)支架與二次繞組并聯(lián)的試驗(yàn)接線(測(cè)出Cb及tanδb)

  AX——高壓繞組端子;ax——二次繞組端子;aDxD——剩余二次繞組端子;Cx——電容電橋端子

  E——電橋接地端子;R4——電橋固定電阻;C4——電橋可調(diào)電容;Cn——標(biāo)準(zhǔn)電容;R3——電橋可調(diào)電阻

  圖1-6 末端屏蔽法直接測(cè)量支架tanδ接線

  AX——高壓繞組端子;ax——二次繞組端子;aDxD——剩余二次繞組端子;Cx——電容電橋端子

  E——電橋接地端子;R4——電橋固定電阻;C4——電橋可調(diào)電容;Cn——標(biāo)準(zhǔn)電容;R3——電橋可調(diào)電阻

  圖1-7 常規(guī)法(反接線)接線

  AX——高壓繞組端子;ax——二次繞組端子;aDxD——剩余二次繞組端子;Cx——電容電橋端子

  E——電橋接地端子;R4——電橋固定電阻;C4——電橋可調(diào)電容;Cn——標(biāo)準(zhǔn)電容;R3——電橋可調(diào)電阻

  表1-1 測(cè)量電壓互感器tanδ和電容的接線方法

序號(hào) 試驗(yàn)方法 圖號(hào) 西林電橋接線方式 被試品接線方式 被測(cè)絕緣部位 測(cè)得
結(jié)果
接線
方法
Cx端
的連接
“E”端
的連接
加壓端和
試驗(yàn)電壓
接地端 懸浮端 底座 繞組間 支架 二次
端子
剩余二
次端子
1 末端加
電壓法
圖1-2 正接線 x,xD X加2kV~3kV A aD,a 接地    
2 圖1-3 正接線 xD A,x aD,a 接地      
3 末端
屏蔽法
圖1-4 正接線 x,xD A加10kV或
至繞組額定電
壓(限于Cn)
X aD,a 接地       Ca,tanδa
4 圖1-5 正接線 x,xD,底座 X aD,a 絕緣     Cb,tanδb
5 圖1-6 正接線 底座 X,x,xD aD,a 絕緣       Cc,tanδc
6 常規(guī)法   正接線 ax,aDxD AX加10kV     絕緣  
7   正接線 ax,aDxD AX加10kV     接地    
8   正接線 ax aDxD,地 AX加10kV     接地      
9   正接線 aDxD ax,地 AX加10kV     接地      
10   正接線 底座 ax,aDxD,地 AX加10kV ax,aDxD   絕緣        
11 圖1-7 反接線 AX 加壓 經(jīng)E加2kV~3kV ax,aDxD   接地  
 

  b) 絕緣支架tanδ和電容的測(cè)量。由于支架的電容量很小(一般為10pF~25pF),因此按圖1-6直接法測(cè)量的靈敏度很低,在強(qiáng)電場(chǎng)干擾下往往不易測(cè)準(zhǔn),建議使用間接法,按圖1-4和圖1-5兩次測(cè)量后,用式(1)計(jì)算出絕緣支架的電容Cc和介質(zhì)損耗因數(shù)tanδc,即:

  Cc=Cb﹣Ca

  tanδc=(Cbtanδb﹣Catanδa)/(Cb﹣Ca) (1)

  式中:

  Ca及tanδa——按圖1-4接線測(cè)量的一次對(duì)二次繞組的電容及介損值;

  Cb及tanδb——按圖1-5接線測(cè)量的一次對(duì)支架與二次繞組并聯(lián)的電容及介損值。

  按圖1-6測(cè)量時(shí),為便于電橋平衡,需要在R4上再并接適當(dāng)電阻,通常,取外并電阻后R1=R4/n(n=1、2、3、…、9)。此時(shí),被試的tanδ值等于C4的微法值除以n,即tanδ=C4/n。

  2.3 試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)

  串級(jí)式(分級(jí)絕緣)電壓互感器20℃時(shí)的tanδ值應(yīng)不大于表1-2中數(shù)值。

  表1-2 串級(jí)式(分級(jí)絕緣)電壓互感器測(cè)量tanδ的試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)

電壓等級(jí) 試驗(yàn)方法 交接及大修后
%
運(yùn)行中
%
66kV~220kV 常規(guī)試驗(yàn)法 2.0 2.5
末端加壓法 按圖1-2接線 2.5 3.5
按圖1-3接線 3.5 5.0
末端屏蔽法 本體,按圖1-4接線 3.5 5.0
絕緣支架,按圖1-4、圖1-5或圖1-6接線 6.0 6.0
自激法 2.5 3.5

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